据电子时报6月5日报道，富士康旗下的子公司成功制造出中国台湾地区首片8英寸SiC（碳化硅）晶圆。由于SiC材料晶体生长难度大、材质硬导致切割困难，因此此前该公司仅有能力制造最大6英寸的SiC晶圆。

由于半导体芯片的形状为矩形，而晶圆为圆形，因此晶圆的面积越大，利用率越高，就能切割出更多的芯片。因此，不论是单晶硅还是碳化硅，使用大尺寸晶圆/衬底制造芯片，有助于芯片厂商降低成本。

目前全球碳化硅产品比较紧缺，新能源电动汽车逐渐从IGBT转向更高端的SiC MOSFET，增大了碳化硅芯片的需求。该领域众多公司，都在积极寻求稳定的SiC衬底供应来源。

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富怡达超声波精密清洗装备主要应用于蓝宝石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、氮化铝(AlN)等衬底材料切割、研磨、抛光、贴片、退火前后、去蜡等工序间清洗。